近年来，402cc永利登录主页旗下控股子公司松瓷机电持续深耕半导体晶体生长设备，先后推出硅部件炉、IC级半导体单晶炉、纯化炉、6 / 8/ 12英寸碳化硅长晶炉及区熔炉等多款核心设备，为客户提供系统的半导体解决方案。

半导体单晶炉

·坩埚升降速度(慢速)：

调速范围:0~120mm/h；精度:0.012 mm/h；

·坩埚旋转速度：

调速范围:0.01~20.00rpm；精度:0.001rpm；

·籽晶升降速度(慢速)：

调速范围:0.1~400mm/h；精度:0.05 mm/h；

·籽晶旋转速度：

调速范围:0.01~30.00rpm；精度:0.001rpm；摆幅:±1.5mm；

柜式碳化硅长晶炉

·控压/控温精度(°C)：±1Pa/±0.2°C；

·极限真空度(Pa)：≤5×10⁻⁴Pa(1.5h抽空数据)；

区熔炉

·长晶最大行程：2500mm；

·拉晶速度：0-30mm/min可调；

·快速升降：600mm/min；

·主轴轴端最小晶向跳动：≤0.15mm；